GaN на сапфире

В качестве профессионального производителя сапфировых пластины компания CRYSCORE может поставлять стандартные или оптические сапфиры пластины любой ориентации, применяемые для эпитаксии, а также сапфировые окна любых спецификаций, применяемые в оптике. Также могут быть предоставлены структурированные сапфировые подложки и сапфировые слитки. Компания - эксперт в производстве сапфировой оптики.

GAN ON SAPPHIRE

Краткое описание GaN

GaN - основной материал, используемый для синей/зеленой светодиодной техники благодаря своей способности объединять электрические и оптические части светодиодов, что повышает эффективность светодиодных продуктов.

?

Светодиоды на основе GaN, выращенные на сапфировом подложке, имеют транспорт тока в латеральном направлении из-за изолирующей природы подложки. Кроме того, конечное сопротивление буферного слоя n-типа GaN приводит к тому, что ток p–n-перехода становится неоднородным и концентрируется вблизи края контакта.

?

Самыми часто выбираемыми кристаллографическими плоскостями являются R-плоскость, C-плоскость и A-плоскость сапфира. Огромная несоответствие между решетками GaN и сапфира может быть частично преодолена использованием тонких буферных слоев AlN или GaN. Несмотря на проблему совместимости решеток, можно изготовить множество полезных оптоэлектронных и электронных устройств.

?

Характеристики и применения GaN

GaN является материалом третьего поколения полупроводников после кремния и арсенида галлия. Его широкозонные характеристики делают GaN идеальным материалом для вывода синего света. Кроме того, GaN также имеет малую диэлектрическую постоянную, отличную теплопроводность и термическую стабильность, что позволяет удовлетворить требования высокой частоты, высокой температуры, высокого давления и высокой мощности приложений.

?

Эти свойства делают GaN перспективным для широкого применения в аэрокосмической отрасли, спутниковой связи, области хранения и дисплеев, в области новых источников света и разработке ядерной энергии. Однако узким местом, которое ограничивало применение GaN, был процесс роста GaN, а ключом к процессу роста является выбор материала подложки.

?

Cryscore GaN on Sapphire

?

Несмотря на значительное несоответствие решеток между сапфировым и GaN-кристаллами, структуры кристаллов обоих материалов одинаковы, а сапфир сохраняет стабильные химические свойства при высоких температурах. Кроме того, благодаря его отличным теплоотводящим свойствам, сапфировые пластины могут быть использованы как идеальный материал подложки для процесса роста GaN. Рост GaN на сапфировой подложке позволяет легко получать крупноразмерные эпитаксиальные пластины, а цена относительно низкая.

?

С развитием и совершенствованием технологии молекулярно-пучкового эпитаксиального роста и роста химическим методом осаждения из паровой фазы качество эпитаксиального роста кристаллов GaN на сапфире становится все выше.

?

Если вы заинтересованы в наших продуктах, свяжитесь с нами сейчас, чтобы получить больше информации о ценах на сапфировые пластины и сапфировые подложки.